三菱电机建设用于生产大型8英寸碳化硅基底的新工厂

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熊本县菊池市新工厂大楼(效果图)

 

      三菱电机致力于碳化硅(SiC)功率半导体的开发和生产,决定在熊本县菊池市建设支持8英寸的大型化SiC晶圆的新工厂大楼。公司最近宣布将与美国企业共同开发8英寸SiC底板。受减碳潮流的影响,高性能功率半导体的需求也在不断提高,三菱电机将切实地根据需求进行应对。

      “随着面向电动汽车(EV)需求的扩大,预计SiC功率半导体将迅速扩大,同时在各种应用领域的市场也将扩大”。关于SiC功率半导体需求的增加,三菱电机的漆间启社长表示。

      今年3月,公司与功率半导体相关的设备投资在2021—2025年度的5年内比原计划增加1300亿日元,达到2600亿日元。其中1000亿日元将用于菊池市的新工厂大楼等。5月26日,为了共同开发在新工厂生产的SiC功率半导体所使用的8英寸SiC基板,三菱电机与从事激光及材料相关产品等的美国科希伦特(宾夕法尼亚州)签订了基本协议书。

      科希伦特公司长期开发SiC材料,2015年成功验证了世界上首个8英寸导电性基板,2019年开始提供8英寸SiC基板。与三菱电机一直保持着供应6英寸SiC底板的合作伙伴关系。

      两家公司将共同开发适合新厂房生产的高品质8英寸SiC底板。之后,以稳定供应高品质、高可靠性的功率半导体为目标进行运营。

      SiC功率半导体比传统的硅(Si)功率损耗小,可以承受更高的电压、电流和工作温度。不仅是电动汽车,其用途也扩大到了其他工业领域。

 

来源:日刊工业新闻

 

2023-05-31 08:32
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